#1 |
数量:18780 |
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最小起订金额:¥₩600 新加坡 当天发货,5-8个工作日送达. |
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#2 |
数量:758 |
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最小起订量:1 美国加州 当天发货,1-3个工作日送达. |
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#3 |
数量:433 |
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最小起订量:1 美国费城 当天发货,5-8个工作日送达. |
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规格书 |
TIP41(A,B,C),TIP42(A,B,C) |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 50 |
晶体管类型 | PNP |
- 集电极电流(Ic)(最大) | 6A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 40V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | 1.5V @ 600mA, 6A |
电流 - 集电极截止(最大) | 700µA |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE | 15 @ 3A, 4V |
功率 - 最大 | 2W |
频率转换 | 3MHz |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-220-3 |
供应商器件封装 | TO-220AB |
包装材料 | Tube |
包装 | 3TO-220AB |
类型 | PNP |
引脚数 | 3 |
最大集电极发射极电压 | 40 V |
集电极最大直流电流 | 6 A |
最小直流电流增益 | 30@300mA@4V|15@3A@4V |
最大工作频率 | 3(Min) MHz |
最大集电极发射极饱和电压 | 1.5@600mA@6A V |
工作温度 | -65 to 150 °C |
最大功率耗散 | 2000 mW |
安装 | Through Hole |
标准包装 | Rail / Tube |
产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
RoHS | RoHS Compliant |
配置 | Single |
晶体管极性 | PNP |
集电极 - 基极电压VCBO | 40 V |
集电极 - 发射极最大电压VCEO | 40 V |
发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
集电极 - 发射极饱和电压 | 100 V |
增益带宽产品fT | 3 MHz |
直流集电极/增益hfe最小值 | 30 |
最高工作温度 | + 150 C |
安装风格 | Through Hole |
封装/外壳 | TO-220-3 |
连续集电极电流 | 6 A |
最低工作温度 | - 65 C |
封装 | Tube |
工厂包装数量 | 50 |
集电极最大直流电流 | 6 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
标准包装名称 | TO-220 |
最低工作温度 | -65 |
最大功率耗散 | 2000 |
最大基地发射极电压 | 5 |
Maximum Transition Frequency | 3(Min) |
每个芯片的元件数 | 1 |
最大集电极基极电压 | 40 |
供应商封装形式 | TO-220AB |
最大集电极发射极电压 | 40 |
铅形状 | Through Hole |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 6A |
晶体管类型 | PNP |
安装类型 | Through Hole |
频率 - 转换 | 3MHz |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 1.5V @ 600mA, 6A |
电流 - 集电极截止(最大) | 700µA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 40V |
供应商设备封装 | TO-220AB |
功率 - 最大 | 2W |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 15 @ 3A, 4V |
其他名称 | TIP42GOS |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
集电极电流( DC)(最大值) | 6 A |
集电极 - 基极电压 | 40 V |
集电极 - 发射极电压 | 40 V |
发射极 - 基极电压 | 5 V |
频率(最大) | 3 MHz |
功率耗散 | 2 W |
工作温度范围 | -65C to 150C |
包装类型 | TO-220AB |
元件数 | 1 |
直流电流增益(最小值) | 30 |
工作温度分类 | Military |
弧度硬化 | No |
频率 | 3 MHz |
集电极电流(DC ) | 6 A |
直流电流增益 | 30 |
Current,Collector | 6A |
Current,Gain | 75 |
PackageType | TO-220AB |
极性 | PNP |
PowerDissipation | 65W |
PrimaryType | Si |
Resistance,Thermal,JunctiontoCase | 1.67°C/W |
Voltage,Breakdown,CollectortoEmitter | 40V |
Voltage,CollectortoBase | 40V |
Voltage,CollectortoEmitter | 40V |
Voltage,CollectortoEmitter,Saturation | 1.5V |
Voltage,EmittertoBase | 5V |
宽度 | 4.83 mm |
品牌 | ON Semiconductor |
长度 | 10.53 mm |
系列 | TIP42 |
身高 | 15.75 mm |
Pd - Power Dissipation | 65 W |
associated | TP0006 273-AB |
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